关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 公告:维护QQ群:833371870,欢迎加入!公告:维护QQ群:833371870,欢迎加入!公告:维护QQ群:833371870,欢迎加入! 2022-06-30 中国大学MOOC: N沟道耗尽型场效应管中,漏源电压VDS越大,漏源电流IDS: 。 中国大学MOOC: N沟道耗尽型场效应管中,漏源电压VDS越大,漏源电流IDS: 。 答案: 查看 举一反三 N沟道耗尽型场效应管中,漏源电压VDS越大,漏源电流IDS: 。 A: 越大 B: 越小 C: 不变 D: 无法确定 中国大学MOOC: 由N沟道增强型场效应管构成的放大电路中,漏源电压VDS应: 。 N沟道结型场效应管工作时,栅-源电压vGS和漏-源电压vDS应如下配置( ) 中国大学MOOC: N沟道结型场效应管漏源电流最大时,栅源两端加入的电压应该是( )。 中国大学MOOC: 工作于饱和区的MOS晶体管,漏源电流IDS几乎不随漏源电压VDS变化。