关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！ 2022-06-19 中国大学MOOC: 由N沟道增强型场效应管构成的放大电路中，漏源电压VDS应： 。 中国大学MOOC: 由N沟道增强型场效应管构成的放大电路中，漏源电压VDS应： 。 答案： 查看 举一反三 中国大学MOOC: N沟道耗尽型场效应管中，漏源电压VDS越大，漏源电流IDS： 。 由N沟道增强型场效应管构成的放大电路中，漏源电压VDS应： 。 A: 大于0 B: 小于0 C: 大于或小于0均可 D: 无法确定 N沟道结型场效应管工作时,栅-源电压vGS和漏-源电压vDS应如下配置( ) N沟道增强型MOSFET工作时,栅-源电压vGS和漏-源电压vDS应如下配置 N沟道耗尽型场效应管中，漏源电压VDS越大，漏源电流IDS： 。 A: 越大 B: 越小 C: 不变 D: 无法确定
