关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！ 2022-10-28 以P-Si为衬底的理想MOS结构的阈值电压一般()0 以P-Si为衬底的理想MOS结构的阈值电压一般()0 答案： 查看 举一反三 一个以P-Si为衬底的理想MOS结构中,其栅氧化层厚度越小,阈值电压越() 中国大学MOOC: 一个以P-Si为衬底的理想MOS结构中 有效表面态电荷的存在会使P-Si衬底的MOS结构的阈值电压相对于理想情况下有所下降 对于以P-Si为衬底的理想MOS结构,耗尽时半导体表面能带向()弯曲 有效表面态电荷的存在会使P-Si衬底的MOS结构的阈值电压相对于理想情况下有所下降 A: 正确 B: 错误
