由p型半导体组成的MIS结构，当金属与半导体间加正电压时，下列说法正确的是
A: 表面势为负
B: 表面处能带向下弯曲
C: 表面处空穴浓度比体内低
D: 表面处电子浓度比体内高
A: 表面势为负
B: 表面处能带向下弯曲
C: 表面处空穴浓度比体内低
D: 表面处电子浓度比体内高
举一反三
- 由P型半导体构成的理想MIS结构中，在外加偏压下，当半导体表面处电子浓度超过空穴浓度时，这种现象叫做载流子反型。
- 某理想MIS(n型半导体衬底)结构中,若在金属栅上加足够高正电压,则以下______说法错误。 A: 金属的费米能级比半导体低 B: 半导体表面势为正 C: 半导体表面能带向下弯曲 D: 半导体表面处于积累状态 E: 以上说法都不对
- 对于由P型半导体构成的理想的MIS结构，当半导体表面少子浓度是体内多子浓度的2倍时，表明此时表面为（ ）状态。 A: 多子积累 B: 平带 C: 弱反型 D: 强反型
- 以下对p型衬底的MIS结构的临界强反型状态描述错误的是（） A: 表面处费米能级与本征费米能级重合 B: 表面处费米能级处于本征费米能级与导带底能级的中央 C: 表面处费米能级与本征费米能级之差与体内处本征费米能级与费米能级之差相等 D: 表面势等于费米势的两倍 E: 表面反型电子浓度等于体内空穴浓度
- 中国大学MOOC: 对于理想的MIS结构，在外加偏压作用下，半导体表面多子浓度比体内多子浓度高时，处于哪种状态？