MIS结构中,半导体表面层产生电场的原因有( ).jj
A: 外加偏压
B: MS功函数差
C: 氧化层中有电荷
D: 半导体表面存在界面态
A: 外加偏压
B: MS功函数差
C: 氧化层中有电荷
D: 半导体表面存在界面态
举一反三
- 对于实际的MIS结构，哪些因素会影响MIS结构的C-V特性曲线，使曲线相较于理想MIS结构的C-V特性曲线发生偏移？ A: 金属和半导体之间存在功函数差 B: 绝缘层中存在电荷 C: 半导体与绝缘层的界面处存在表面态 D: 外加偏压
- 理想MOS结构是( )。 A: 金半功函数差为零 B: 栅氧化层内有效电荷密度不为零 C: 栅氧化层与半导体界面处存在界面态 D: 无法确定
- 理想的MOS结构不需要考虑金属-半导体功函数差和有效表面态电荷的影响
- 如果计入表面态的影响，当表面态为施主态，且态密度足够大时，关于异质结能带结构的描述，正确的是？ A: 此时异质结界面两边的状态完全由界面态电荷决定，与功函数等没有关系。 B: 对于n型半导体，在半导体表面形成很薄的多子积累层。 C: 对于p型半导体，在半导体表面形成很厚的耗尽层。 D: 对于n型半导体，在半导体表面形成很厚的耗尽层。 E: 对于p型半导体，在半导体表面形成很薄的多子积累层。
- 理想的MOS结构不需要考虑金属-半导体功函数差和有效表面态电荷的影响 A: 正确 B: 错误