理想MOS结构是( )。
A: 金半功函数差为零
B: 栅氧化层内有效电荷密度不为零
C: 栅氧化层与半导体界面处存在界面态
D: 无法确定
A: 金半功函数差为零
B: 栅氧化层内有效电荷密度不为零
C: 栅氧化层与半导体界面处存在界面态
D: 无法确定
举一反三
- MIS结构中,半导体表面层产生电场的原因有( ).jj A: 外加偏压 B: MS功函数差 C: 氧化层中有电荷 D: 半导体表面存在界面态
- 最容易导致MIS无法反型的是( )缺陷.jj A: 半导体界面陷阱态 B: 栅介质层中的固定电荷 C: 栅介质层中的可动电荷 D: 栅介质层的陷阱态
- 理想MOS结构的定义包括 A: 金属和半导体的功函数差为零 B: Si-SiO2系统不存在表面态电荷 C: 氧化膜电阻无穷大，没有电流通过 D: 衬底是P型半导体
- 理想的MOS结构不需要考虑金属-半导体功函数差和有效表面态电荷的影响
- 一个以P-Si为衬底的理想MOS结构中,其栅氧化层厚度越小,阈值电压越()