Si/SiO2系统中常见的四种电荷态，那种最影响亚阈值摆幅？
A: 界面陷阱电荷
B: 氧化层固定电荷
C: 氧化层可动电荷
D: 氧化层辐照缺陷
A: 界面陷阱电荷
B: 氧化层固定电荷
C: 氧化层可动电荷
D: 氧化层辐照缺陷
举一反三
- 二氧化硅层中对器件稳定性影响最大的Na+属于( ).zz A: 界面陷阱电荷 B: 氧化层中固定电荷 C: 氧化层中可动电荷 D: 氧化层中陷阱电荷
- 对MIS电容有明显影响的是 A: 界面陷阱电荷 Qit B: 氧化层中固定电荷 Qf C: 氧化层中可动电荷 Qm D: 氧化层中陷阱电荷 Qot
- Si/SiO2体系中，氧化层内的固定电荷都是正的。
- 下面哪种方式是无法减少MOS器件的亚阈值摆幅 A: 减少衬底掺杂浓度 B: 减少SiO2/Si界面处的固定电荷密度 C: 减少氧化层厚度 D: 降低器件工作温度
- 最容易导致MIS无法反型的是( )缺陷.jj A: 半导体界面陷阱态 B: 栅介质层中的固定电荷 C: 栅介质层中的可动电荷 D: 栅介质层的陷阱态