PN结隔离的双极集成电路工艺需要几次光刻，每次光刻目的是什么？
需要六次光刻第一次—N+隐埋层扩散孔光刻；第二次—P+隔离扩散孔光刻；第三次—P型基区扩散孔光刻；第四次—N+发射区扩散孔光刻；第五次—引线接触孔光刻；第六次—金属化内连线光刻。
举一反三
内容
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光刻工艺的主要流程有哪几步？什么是光刻工艺的分辨率？从物理角度看，限制分辨率的因素是什么？最常用的曝光光源是什么？
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光刻是集成电路制造工艺发展的驱动力。 A: 正确 B: 错误
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集成电路制造与集成电路设计相关纽带是光刻掩膜版。
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集成电路制造工艺需要用到光刻、刻蚀、掺杂、氧化等工艺，是一个非常复杂经过多道工序的过程。
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光刻是集成电路制造过程中总成本最高的工艺。（ ） A: 错 B: 对