硅的导带极值位于（）方向的布里渊区中心到布里渊区边界的0.85倍处
A: ＜110＞
B: ＜100＞
C: ＜111＞
D: [110]
A: ＜110＞
B: ＜100＞
C: ＜111＞
D: [110]
举一反三
- GaAs的导带极值位于布里渊区( )。 A: 中心 B: 111>方向边界处 C: 100>方向边界处 D: 110>方向边界处
- 硅的导带极值位于（ ）方向的布里渊区中心到布里渊区边界的0.85倍处。 A: <110> B: <100> C: <111> D: [110]
- 硅晶体的导带低位于布里渊区中的什么位置?(<br/>) A: 第一布里渊区中心 B: 第一布里渊区边界上四边形中心点 C: 第一布里渊区中心六边形中心 D: 第一布里渊区中心到边界上四边形中心的连线上
- 硅的导带极值位于（ ）方向的布里渊区中心到布里渊区边界的0.85倍处。 未知类型：{'options': ['[110]', '[100]', '[111]', '[110]'], 'type': 102}
- 硅导带结构为（）。 A: 位于第一布里渊区内沿<100>方向的6个球形等能面 B: 一半位于第一布里渊区内沿<111>方向的6个球形等能面 C: 一半位于第一布里渊区内沿<111>方向的8个椭球等能面 D: 位于第一布里渊区内沿<100>方向的6个椭球等能面