引起IGBT擎住效应的因素有
过大/ananas/latex/p/1114407 --- 集电极电流过大 --- 温度升高
举一反三
内容
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IGBT的动态擎住效应比静态擎住效应所需的集电极电流要大。
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IGBT具有擎住效应。 A: 正确 B: 错误
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请简述IGBT的擎住效应及产生原因。
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IGBT存在擎住效应或自锁效应的原因有 A: 集电极电流过大（静态擎住效应） B: dUCE/dt过大（动态擎住效应） C: 温度升高 D: 内部存在寄生晶闸管
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存在擎住效应的器件是（ ）。 A: PMOSFET B: SCR C: IGBT