杂质陡变分布
举一反三
- 中国大学MOOC:在VPE、MBE、SEG、LPE、SPE、UHV/CVD、MOCVD中，哪种外延方法能生长杂质陡变分布的薄外延层？
- 在下列外延方法中，哪种方法能生长出杂质陡变分布的薄外延层？ A: MBE B: VPE C: UHV/CVD D: SEG、SPE E: MOVPE F: LPE
- 如果扩散过程中始终保持表面杂质浓度不变(无限源扩散),那么形成的杂质分布是()分布;如果扩散过程中保持杂质的总量不变(限定源扩散),则形成的杂质分布是()分布
- 有限表面源扩散的杂质分布服从（）分布。
- 扩散工艺使杂质由半导体晶片表面向内部扩散，改变了晶片（），所以晶片才能被人们所使用。 A: 内部的杂质分布 B: 表面的杂质分布 C: 整个晶体的杂质分布 D: 内部的导电类型 E: 表面的导电类型