SiO2/Si的MIS，已知半导体的掺杂浓度和氧化层厚度，平带电容就可以从公式上直接计算了。
举一反三
- 中国大学MOOC: 对于理想MOS结构，同一氧化层厚度下，掺杂浓度越高，归一化平带电容越 ；同一掺杂浓度下，氧化层厚度越厚，归一化平带电容越 （ ）。
- 已知氧化层的电容密度，可以从理想MIS高频C-V曲线的测量直接求出半导体的（）。
- 对于理想MOS结构，同一氧化层厚度下，掺杂浓度越高，归一化平带电容越 ；同一掺杂浓度下，氧化层厚度越厚，归一化平带电容越 （ ）。 A: 大，大 B: 大，小 C: 小，大 D: 小，小
- 对于理想MOS结构，同一氧化层厚度下，掺杂浓度越高，归一化平带电容越；同一掺杂浓度下，氧化层厚度越厚，归一化平带电容越（）。 A: 大，大 B: 大，小 C: 小，大 D: 小，小
- 对于p型半导体构成的理想MIS结构，如果掺杂浓度增加，则平带电容会不变。 A: 正确 B: 错误