关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！ 2022-06-30 已知氧化层的电容密度，可以从理想MIS高频C-V曲线的测量直接求出半导体的（）。 已知氧化层的电容密度，可以从理想MIS高频C-V曲线的测量直接求出半导体的（）。 答案： 查看 举一反三 SiO2/Si的MIS，已知半导体的掺杂浓度和氧化层厚度，平带电容就可以从公式上直接计算了。 MIS结构，氧化层的固定电荷的存在使得C-V曲线往右平移。 中国大学MOOC: 理想MIS(p型半导体衬底)结构中,高频C-V特性在强反型区与低频C-V特性不同的原因是高频条件下______ 理想MIS电容的就是一个固定的氧化层电容与一个随电压可变的半导体空间电荷层电容的并联而已。 高频MIS的C-V曲线与低频C-V曲线的分叉点出现在弱反型区。
