以n沟增强型MOSFET为例，以下关于沟道长度调变效应的说法错误的是（ ）。
A: VDS增加，出现夹断点，沟道长度减小，导致漏-源饱和电流增加
B: MOS输出特性曲线饱和区段发生倾斜，输出阻抗降低
C: 在n型沟道中运动的电子到达夹断处时，被耗尽区电场扫进漏区，增益变小
D: 其工作机理类似于双极型晶体管的基区宽度调变效应
A: VDS增加，出现夹断点，沟道长度减小，导致漏-源饱和电流增加
B: MOS输出特性曲线饱和区段发生倾斜，输出阻抗降低
C: 在n型沟道中运动的电子到达夹断处时，被耗尽区电场扫进漏区，增益变小
D: 其工作机理类似于双极型晶体管的基区宽度调变效应
举一反三
- 以n沟增强型MOSFET为例，以下关于沟道长度调变效应的说法错误的是（ ）。 未知类型：{'options': ['180315a656ce095.png增加，出现夹断点，沟道长度减小，导致漏-源饱和电流增加', 'MOS输出特性曲线饱和区段发生倾斜，输出阻抗降低', '在n型沟道中运动的电子到达夹断处时，被耗尽区电场扫进漏区，增益变小', '其工作机理类似于双极型晶体管的基区宽度调变效应'], 'type': 102}
- 以n沟增强型MOSFET为例，以下关于沟道长度调变效应的说法错误的是（）。 A: 沟道长度调变效应指的是增加，出现夹断点，沟道长度减小，从而导致漏-源饱和电流增加 B: 沟道长度调变效应会使MOS输出特性曲线饱和区段发生倾斜，输出阻抗降低 C: 由于沟道长度调变效应，在n型沟道中运动的电子到达夹断处时，会被耗尽区电场扫进漏区，从而导致增益变小 D: 沟道长度调变效应的工作机理与双极型晶体管的基区宽度调变效应有些相似
- 以n沟增强型MOSFET为例，以下关于沟道长度调变效应的说法错误的是（ ）。 未知类型：{'options': ['沟道长度调变效应指的是[img=29x22]18036f7dcf43dba.png[/img]增加，出现夹断点，沟道长度减小，从而导致漏-源饱和电流增加', '沟道长度调变效应会使MOS输出特性曲线饱和区段发生倾斜，输出阻抗降低', '由于沟道长度调变效应，在n型沟道中运动的电子到达夹断处时，会被耗尽区电场扫进漏区，从而导致增益变小', '沟道长度调变效应的工作机理与双极型晶体管的基区宽度调变效应有些相似'], 'type': 102}
- n沟增强型MOS管的源端接地，工作在饱和工作区时，以下说法中错误的是（）。 A: 此时满足条件 B: 沟道夹断点从源端向漏端移动 C: 沟道夹断点电压为 D: 沟道夹断区为耗尽区
- n沟增强型MOS管的源端接地，工作在饱和工作区时，以下说法中错误的是（ ）。 A: 此时满足条件VDS>VGS-VTH B: 沟道夹断点从源端向漏端移动 C: 沟道夹断点电压为VGS-VTH D: 沟道夹断区为耗尽区