• 2022-10-29 问题

    N沟道增强型MOSFET工作在恒流区的条件是? A: VGS>VGS(th),VDS>VGS-VGS(th) B: VGS>VGS(th),VDSVGS-VGS(th) C: VGSVGS(th),VDS>VGS-VGS(th) D: VGS<VGS(th),VDSVGS-VGS(th)

    N沟道增强型MOSFET工作在恒流区的条件是? A: VGS>VGS(th),VDS>VGS-VGS(th) B: VGS>VGS(th),VDSVGS-VGS(th) C: VGSVGS(th),VDS>VGS-VGS(th) D: VGS<VGS(th),VDSVGS-VGS(th)

  • 2022-10-29 问题

    P沟道增强型MOS管工作在饱和区的条件是( )。 A: VGS>VGS(th),VDS>VGS-VGS(th) B: VGS>VGS(th),VDS C: VGSVGS-VGS(th) D: VGS

    P沟道增强型MOS管工作在饱和区的条件是( )。 A: VGS>VGS(th),VDS>VGS-VGS(th) B: VGS>VGS(th),VDS C: VGSVGS-VGS(th) D: VGS

  • 2022-06-19 问题

    P沟道增强型MOSFET工作时,栅-源电压vGS和漏-源电压vDS应如下配置() A: vGS为正,vDS为负; B: vGS为负,vDS为正; C: vGS为正,vDS为正; D: vGS为负,vDS为负。

    P沟道增强型MOSFET工作时,栅-源电压vGS和漏-源电压vDS应如下配置() A: vGS为正,vDS为负; B: vGS为负,vDS为正; C: vGS为正,vDS为正; D: vGS为负,vDS为负。

  • 2022-06-19 问题

    N沟道增强型MOSFET工作时,栅-源电压vGS和漏-源电压vDS应如下配置() A: vGS为正,vDS为负; B: vGS为负,vDS为正; C: vGS为正,vDS为正; D: vGS为负,vDS为负。

    N沟道增强型MOSFET工作时,栅-源电压vGS和漏-源电压vDS应如下配置() A: vGS为正,vDS为负; B: vGS为负,vDS为正; C: vGS为正,vDS为正; D: vGS为负,vDS为负。

  • 2022-10-28 问题

    一个衬底、源端、漏端都接地的增强型NMOS管(阈值电压VT&gt;0),下列几种栅极电压VGS取值情况中哪个情况栅极的总电容最小? A: VGS=0 B: VGS=VT C: VGS= VDD D: VGS= VDSAT (速度饱和电压)

    一个衬底、源端、漏端都接地的增强型NMOS管(阈值电压VT&gt;0),下列几种栅极电压VGS取值情况中哪个情况栅极的总电容最小? A: VGS=0 B: VGS=VT C: VGS= VDD D: VGS= VDSAT (速度饱和电压)

  • 2021-04-14 问题

    N沟道结型场效应管的vGS越负,iD越小,vGS不可为正

    N沟道结型场效应管的vGS越负,iD越小,vGS不可为正

  • 2022-11-01 问题

    N沟道增强型MOS管工作在恒流区的条件是______。 A: vGS 大于VTN ,并且vDS <vGS-VTN B: vGS 大于VTN ,并且vDS >vGS-VTN C: vGS 小于VTN ,并且vDS >vGS-VTN D: vGS 小于VTN ,并且vDS <vGS-VTN

    N沟道增强型MOS管工作在恒流区的条件是______。 A: vGS 大于VTN ,并且vDS <vGS-VTN B: vGS 大于VTN ,并且vDS >vGS-VTN C: vGS 小于VTN ,并且vDS >vGS-VTN D: vGS 小于VTN ,并且vDS <vGS-VTN

  • 2022-10-30 问题

    对于Al栅管,___大,击穿电压大;对于Si栅自对准管,___大,击穿电压大( )。 A: VGS,VDS B: VDS,VGS C: VGS,IDS D: IGS,VDS

    对于Al栅管,___大,击穿电压大;对于Si栅自对准管,___大,击穿电压大( )。 A: VGS,VDS B: VDS,VGS C: VGS,IDS D: IGS,VDS

  • 2022-10-30 问题

    对于增强型N型沟道MOS管,VGS只能为()并且只能当VGS()时,才能形成Id。

    对于增强型N型沟道MOS管,VGS只能为()并且只能当VGS()时,才能形成Id。

  • 2022-10-30 问题

    对于增强型N型沟道MOS管,VGS只能为(),并且只能当VGS()时,才能形有Id。

    对于增强型N型沟道MOS管,VGS只能为(),并且只能当VGS()时,才能形有Id。

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