下列说法中，哪一项不是对PN结空间电荷区充电（ ）。
A: 使电子和空穴从空间电荷区流入两侧半导体中
B: PN结外加正向偏压增大
C: PN结外加反向偏压减小
D: 使空间电荷区势垒宽度减小
A: 使电子和空穴从空间电荷区流入两侧半导体中
B: PN结外加正向偏压增大
C: PN结外加反向偏压减小
D: 使空间电荷区势垒宽度减小
举一反三
- 下列说法中，哪一项不是对PN结空间电荷区充电（ ）。 A: 使电子和空穴从空间电荷区流入两侧半导体中 B: PN结外加正向偏压增大 C: PN结外加反向偏压减小 D: 使空间电荷区势垒宽度减小
- 关于PN结的电容效应，说法正确的是 A: 当PN结外加电压发生变化时，会引起空间电荷区正负电荷数目的变化，这种电容效应称为PN结的势垒电容 B: 当外加正向偏压增加时，将有一部分电子和空穴“存入”势垒区，相当于对势垒区“充电” C: 由电荷在扩散区存储所形成的电容称为PN结的扩散电容 D: 正向电压增加时，正向电流增大，有较多的非平衡载流子在扩散区中积累起来，相当于对扩散区“充电”
- PN结加正向偏压时,空间电荷区内建电势差减小。(<br/>)
- PN结外加正向电压产生外加电场,使空间电荷减少,空间电荷区(),势垒降低。 A: 变窄 B: 变宽 C: 不变 D: 变大
- PN结外加正向电压时其空间电荷区宽度将（），PN结中（）电流占优势。