PN结空间电荷区的宽度主要向浓度掺杂的一侧扩展。
举一反三
- 对于单边突变PN结,在重掺杂一侧的空间电荷区宽度是可忽略的,空间电荷区主要分布在轻掺杂的半导体一侧。(<br/>)
- PN结中的参数中，下列哪一项不是由低掺杂一侧的掺杂浓度确定的 A: 空间电荷区的宽度 B: 势垒高度 C: 击穿电压 D: 势垒电容
- PN结中有很多参数或性能都由低掺杂一侧的掺杂浓度确定的，下面（ ）就是这样的。 A: 空间电荷区宽度 B: 势垒电容 C: 反向饱和电流 D: 反向恢复过程
- 若形成PN结的原始衬底材料的掺杂浓度越低，则该PN结反偏时所对应的空间电荷区宽度就越宽。
- PN结空间电荷区的最大电场与（ ）无关。 A: 半导体材料 B: 掺杂浓度 C: 外加电压 D: PN结面积