若形成PN结的原始衬底材料的掺杂浓度越低，则该PN结反偏时所对应的空间电荷区宽度就越宽。
举一反三
- PN结空间电荷区的宽度主要向浓度掺杂的一侧扩展。
- PN结空间电荷区的最大电场与（ ）无关。 A: 半导体材料 B: 掺杂浓度 C: 外加电压 D: PN结面积
- PN结两边掺杂浓度越高，阻挡层的宽度就越____。 A:
- PN结反向偏置时，PN结的内电场 ，空间电荷区将变 。PN结正向偏置时，PN结的内电场 ，空间电荷区将变________。 选填“增强”、“削弱”、“宽”、“窄”
- 关于阻挡层的形成，下面描述正确的是： A: 当PN结达到动态平衡时，扩散电流和漂移电流形成的净电流为零。 B: 阻挡层也称为空间电荷区、耗尽区、势垒区 C: 硅材料PN结的内建电位差比锗材料PN结的小 D: 阻挡层宽度和掺杂浓度成反比