关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！ 2022-10-29 对于单边突变PN结,在重掺杂一侧的空间电荷区宽度是可忽略的,空间电荷区主要分布在轻掺杂的半导体一侧。(<br/>) 对于单边突变PN结,在重掺杂一侧的空间电荷区宽度是可忽略的,空间电荷区主要分布在轻掺杂的半导体一侧。() 答案： 查看 举一反三 单边突变结的耗尽区主要分布在重掺杂的一侧，最大电场与耗尽区宽度主要取决于低掺杂一侧的杂质浓度。 PN结空间电荷区的宽度主要向浓度掺杂的一侧扩展。 中国大学MOOC: 单边突变结的耗尽区主要分布在重掺杂的一侧，最大电场与耗尽区宽度主要取决于低掺杂一侧的杂质浓度。 PN结的空间电荷区的电荷有（）。 PN结中的参数中，下列哪一项不是由低掺杂一侧的掺杂浓度确定的 A: 空间电荷区的宽度 B: 势垒高度 C: 击穿电压 D: 势垒电容
