对于平衡pn结势垒区，下列说法错误的是
A: 由p区到n区电势增加
B: 由p区到n区电势能增加
C: 室温时载流子浓度很小
D: 室温时势垒区的空间电荷密度近似等于电离杂质浓度
A: 由p区到n区电势增加
B: 由p区到n区电势能增加
C: 室温时载流子浓度很小
D: 室温时势垒区的空间电荷密度近似等于电离杂质浓度
举一反三
- 在平衡pn结势垒区中，下列说法错误的是 A: 费米能级处处相等 B: 由p区到n区电势逐渐增加 C: 由p区到n区电势能逐渐增加 D: 由p区到n区电子浓度逐渐增加
- PN结势垒区电势最低的位置是（ ）。 A: 靠近P区的势垒区边界 B: 靠近N区的势垒区边界 C: PN结界面处 D: 电势处处相等
- PN结势垒区电势最低的位置是（ ）。 A: 靠近P区的势垒区边界 B: 靠近N区的势垒区边界 C: PN结界面处 D: 电势处处相等
- 由PN结能带图可见,电子从N区到P区,需要克服一个高度为的势垒
- 平衡PN结形成过程中 A: N区的电势比P区高 B: N区的电势能比P区高 C: N区的空穴向P区扩散 D: N区的电子向P区漂移