中国大学MOOC: 晶体管基区中少子积累的变化在发射结电容充放电完成__发生，基极电流的相位__于发射极电流的变化（ ）。
举一反三
- 晶体管基区中少子积累的变化在发射结电容充放电完成__发生，基极电流的相位__于发射极电流的变化（ ）。 A: 之前，超前 B: 之前，滞后 C: 之后，超前 D: 之后，滞后
- 晶体管基区中少子积累的变化在发射结电容充放电完成__发生，基极电流的相位__于发射极电流的变化（ ）。 A: 之前，超前 B: 之前，滞后 C: 之后，超前 D: 之后，滞后
- 中国大学MOOC: 由于双极型晶体管有效基区宽度的变化，引起基区中少子积累的变化，反应出（ ）的充放电效应。
- 由于双极型晶体管有效基区宽度的变化，引起基区中少子积累的变化，反应出 的充放电效应。（ ） A: 集电结势垒电容 B: 集电结扩散电容 C: 发射结势垒电容 D: 发射结扩散电容
- 由于双极型晶体管有效基区宽度的变化，引起基区中少子积累的变化，反应出（ ）的充放电效应。 A: 集电结势垒电容 B: 集电结扩散电容 C: 发射结势垒电容 D: 发射结扩散电容