114.晶圆制造过程中，检测刻蚀质量的好坏，一般通过以下几个方面体现出来：（）。
A: 刻蚀均匀性
B: 图形保真度
C: 刻蚀选择比
D: 刻蚀的洁净度
A: 刻蚀均匀性
B: 图形保真度
C: 刻蚀选择比
D: 刻蚀的洁净度
举一反三
- 晶圆制造过程中,检测刻蚀质量的好坏,一般通过以下几个方面体现出来:( )。 A: 刻蚀均匀性 B: 图形保真度 C: 刻蚀选择比 D: 刻蚀的洁净度
- 下面关于刻蚀效果的描述中错误的是（）。 A: 刻蚀均匀性要好 B: 图形的保真度好 C: 刻蚀选择比低 D: 刻蚀的洁净度高
- 35.在刻蚀工艺中，有几个非常重要的参数，其中（）定义为当刻蚀线条时，刻蚀的深度V 与一[br][/br]边的横向增加量 ΔX 的比值V/ΔX，比值越大，说明横向刻蚀速率小，刻蚀图形的保真度好。 A: 刻蚀因子 B: 刻蚀速率 C: 选择比 D: 均匀性
- 在刻蚀工艺中,有几个非常重要的参数,其中( )定义为当刻蚀线条时,刻蚀的深度V 与一边的横向增加量 ΔX 的比值V/ΔX,比值越大,说明横向刻蚀速率小,刻蚀图形的保真度好。 A: 刻蚀因子 B: 刻蚀速率 C: 选择比 D: 均匀性
- 刻蚀参数有：（ ）。 A: 刻蚀偏差 B: 刻蚀速率 C: 均匀性 D: 选择比