目前制备硅单晶的方法有:
A: 直拉法
B: 液体掩盖直拉法
C: 悬浮区熔法
D: 精馏法
A: 直拉法
B: 液体掩盖直拉法
C: 悬浮区熔法
D: 精馏法
A,A,C
举一反三
内容
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制备单晶硅的方法有 A: 直拉法（CZ） B: 悬浮区熔法（FZ） C: 蒸发 D: 溅射
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常见的制备单晶硅的方法有 A: 直拉法（CZ） B: 悬浮区熔法（FZ） C: 蒸发 D: 溅射
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直径大于8英寸的单晶硅锭可以用( )方法制备出来。 A: FZ法 B: CZ法 C: 直拉法 D: 悬浮区熔法
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当前，单晶硅的制备中85%左右都是采用（）。 A: 还原法 B: 氧化法 C: 悬浮区熔法 D: 直拉法
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下列哪种制备工艺方法不适用于单晶硅制备是( )。 A: 直拉法 B: 磁拉法 C: 直熔法 D: 区熔法