离子注入后需要进行退火,退火的目的是激活杂质和
A: 修复晶格损伤
B: 减少表面沾污
C: 抑制沟道效应
D: 降低饱和压降
A: 修复晶格损伤
B: 减少表面沾污
C: 抑制沟道效应
D: 降低饱和压降
举一反三
- 离子注入之后为修复晶格损伤和激活杂质,必须进行退火
- 离子注入后，硅片晶格结构遭到破坏，因此需要通过退火进行修复。 A: 正确 B: 错误
- 使掺杂的离子加速到一定的能量，使之注入到晶体中，经过退火使杂质激活，从而达到掺杂的目的，这种工艺称为： 。 A: 扩散 B: 快速热退火 C: 刻蚀 D: 离子注入
- 关于离子注入掺杂，说法正确的有（） A: 离子注入对半导体晶格没有损伤 B: 离子注入利用电场来控制离子的注入深度 C: 离子注入利用磁场来筛选注入的离子 D: 将半导体晶片偏转一定的角度可以避免离子注入遇到的沟道效应
- 离子注入会将原子撞击出晶格结构而损伤硅片晶格，高温退火过程能使硅片中的损伤部分或绝大部分得到消除，掺入的杂质也能得到一定比例的电激活。