关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！ 2022-10-28 离子注入后，硅片晶格结构遭到破坏，因此需要通过退火进行修复。 A: 正确 B: 错误 离子注入后，硅片晶格结构遭到破坏，因此需要通过退火进行修复。A: 正确B: 错误 答案： 查看 举一反三 离子注入后，晶格结构会产生损伤，因此需要进行__________工艺。 离子注入之后为修复晶格损伤和激活杂质,必须进行退火 离子注入后需要进行退火,退火的目的是激活杂质和 A: 修复晶格损伤 B: 减少表面沾污 C: 抑制沟道效应 D: 降低饱和压降 离子注入中高能量意味着注入硅片更深处，低能量则用于超浅结注入。 A: 正确 B: 错误 关于离子注入掺杂，说法正确的有（） A: 离子注入对半导体晶格没有损伤 B: 离子注入利用电场来控制离子的注入深度 C: 离子注入利用磁场来筛选注入的离子 D: 将半导体晶片偏转一定的角度可以避免离子注入遇到的沟道效应
