通过加热，使待淀积的金属原子获得足够的能量，脱离金属表面蒸发出来，在飞行途中遇到硅片，就淀积在硅表面，形成金属薄膜，该工艺过程是
A: CVD
B: 氧化
C: 蒸发
D: 溅射
A: CVD
B: 氧化
C: 蒸发
D: 溅射
举一反三
- 中国大学MOOC: 通过加热，使待淀积的金属原子获得足够的能量，脱离金属表面蒸发出来，在飞行途中遇到硅片，就淀积在硅表面，形成金属薄膜，该工艺过程是
- 中国大学MOOC: 溅射（Sputtering）是由 轰击靶材表面，使靶原子从靶表面飞溅出来淀积在衬底上形成薄膜。
- 溅射工艺是指由轰击靶材表面,使靶原子从靶表面飞溅出来淀积在衬底上形成薄膜。 A: 电子 B: 中性粒子 C: 高能离子 D: 负离子
- 利用高能粒子撞击具有高纯度靶材料表面，撞击出的原子最后淀积在硅片上的物理过程 是[br][/br]（）。 A: 电阻加热蒸发 B: 电子束蒸发 C: 溅射 D: 电镀
- CVD是利用某种物理过程，例如蒸发或者溅射现象实现物质的转移，即原子或分子由源转移到衬底（硅）表面上，并淀积成薄膜。 A: 正确 B: 错误