利用高能粒子撞击具有高纯度靶材料表面，撞击出的原子最后淀积在硅片上的物理过程 是[br][/br]（）。
A: 电阻加热蒸发
B: 电子束蒸发
C: 溅射
D: 电镀
A: 电阻加热蒸发
B: 电子束蒸发
C: 溅射
D: 电镀
举一反三
- 溅射（Sputtering）是由 轰击靶材表面，使靶原子从靶表面飞溅出来淀积在衬底上形成薄膜。 A: 高能离子 B: 电子 C: 中性粒子 D: 负离子
- 溅射工艺是指由轰击靶材表面,使靶原子从靶表面飞溅出来淀积在衬底上形成薄膜。 A: 电子 B: 中性粒子 C: 高能离子 D: 负离子
- 通过加热，使待淀积的金属原子获得足够的能量，脱离金属表面蒸发出来，在飞行途中遇到硅片，就淀积在硅表面，形成金属薄膜，该工艺过程是 A: CVD B: 氧化 C: 蒸发 D: 溅射
- 用高能粒子从某种物质的表面撞击出原子的物理过程叫（）。 A: 蒸镀 B: 离子注入 C: 溅射 D: 沉积
- 利用高能粒子高速撞击靶材，使大量的靶材表面原子获得相当高的能量而脱离靶材的束缚飞向衬底，沉积成膜，这种制膜方法称为溅射镀膜。