利用含有薄膜元素的[ ]或[ ]、[ ]，在衬底表面上令其进行化学反应生成固体薄膜，称为化学气相沉积(CVD)薄膜。
举一反三
- 物理气相沉积是指在真空条件下，利用各种物理方法，将镀料气化成[ ]、[ ]或使其[ ]，直接沉积到基片（工件）表面形成固态薄膜的方法。
- 化学气相沉积直接制备多晶硅薄膜的方法有（）。 A: 热丝化学气相沉积制备多晶硅 B: 低压化学气相沉积制备多晶硅 C: 非晶硅晶化制备多晶硅薄膜 D: 等离子增强化学气相沉积
- 以下属于多晶硅薄膜直接制备法的有（ ）。 A: 液相外延（LPE）法 B: 化学气相沉积（CVD）法 C: 等离子增强化学气相沉积（PECVD）法 D: 低压化学气相沉积（LPCVD）
- 制备多晶硅薄膜最常用的方法，就是在真空条件下，将SiH4等和H2的混合气体在一定的压力、温度、气体配比等条件下分解，然后再加热（300-1200℃），在衬底上沉积得到多晶硅薄膜，这就是所谓的化学气相沉积（CVD）法。
- [化学一化学与技术]