制备多晶硅薄膜最常用的方法，就是在真空条件下，将SiH4等和H2的混合气体在一定的压力、温度、气体配比等条件下分解，然后再加热（300-1200℃），在衬底上沉积得到多晶硅薄膜，这就是所谓的化学气相沉积（CVD）法。
举一反三
- 化学气相沉积直接制备多晶硅薄膜的方法有（）。 A: 热丝化学气相沉积制备多晶硅 B: 低压化学气相沉积制备多晶硅 C: 非晶硅晶化制备多晶硅薄膜 D: 等离子增强化学气相沉积
- LPCVD通常利用硅烷（或乙烷）作为源气体，在低压条件下热分解气体源，从而直接在衬底上沉积得到多晶硅薄膜。
- 所谓多晶硅薄膜的间接制备法，就是先制备得到（ ）薄膜，再通过不同的晶化技术，将其晶化为多晶硅薄膜。 A: 非晶硅 B: 单晶硅 C: 微晶硅 D: 多晶硅
- 以下属于多晶硅薄膜直接制备法的有（ ）。 A: 液相外延（LPE）法 B: 化学气相沉积（CVD）法 C: 等离子增强化学气相沉积（PECVD）法 D: 低压化学气相沉积（LPCVD）
- 利用LPE法制备多晶硅薄膜，首先要在高温条件下将硅熔融在（ ）等母液里，达到饱和后，再将衬底浸入合金熔液中，最后降低温度，使硅在合金熔液中处于过饱和状态，作为第二相析出在衬底上，形成多晶硅薄膜。 A: Cu B: Al C: In D: 以上都可以