以下属于多晶硅薄膜直接制备法的有（ ）。
A: 液相外延（LPE）法
B: 化学气相沉积（CVD）法
C: 等离子增强化学气相沉积（PECVD）法
D: 低压化学气相沉积（LPCVD）
A: 液相外延（LPE）法
B: 化学气相沉积（CVD）法
C: 等离子增强化学气相沉积（PECVD）法
D: 低压化学气相沉积（LPCVD）
举一反三
- 化学气相沉积直接制备多晶硅薄膜的方法有（）。 A: 热丝化学气相沉积制备多晶硅 B: 低压化学气相沉积制备多晶硅 C: 非晶硅晶化制备多晶硅薄膜 D: 等离子增强化学气相沉积
- 化学气相沉积（CVD）按照反应气压进行分类，可以分为？ A: 常压化学气相沉积 B: 低压化学气相沉积 C: 等离子体增强化学气相沉积 D: 高压气相沉积
- 气相沉积法分为物理气相沉积法和化学气相沉积法。（ ）
- 气相沉积法分为（）和化学沉积法；化学沉积法按反应的能源可分为热能化学气相沉积、（） 。
- 以下方法可用来制备晶体硅薄膜的有（ ）。 A: 热辅助化学气相沉积（TA-CVD） B: 液相外延(LPE) C: 近空间气相输运(CSVT) D: 和离子辅助沉积（IAD）