下面()选项所描述的扩散是:利用保护性气体把杂质源蒸汽携带入石英管内,杂质在高温下分解,并与衬底表面的硅原子发生反应,杂质原子向硅片内部扩散。
A: 气态源扩散
B: 液态源扩散
C: 固态源扩散
D: 旋涂源扩散
A: 气态源扩散
B: 液态源扩散
C: 固态源扩散
D: 旋涂源扩散
举一反三
- 扩散的分类取决于杂质源的形态。主要包括()。 A: 旋涂源扩散 B: 固态源 C: 气态源 D: 液态源
- 下面哪种工艺不是扩散方法?( ) A: 液态源扩散 B: 水汽源扩散 C: 气态源扩散 D: 固态源扩散
- 遵循在扩散过程中外界始终提供杂质源,硅片表面浓度恒定规律的扩散方法称之为()。 A: 有限源表面扩散 B: 两步扩散法(包括预扩散和住扩散) C: 恒定源表面扩散 D: 自由式扩散
- 杂质在硅中扩散主要采用两种方式:恒定表面源扩散和限定表面源扩散,下面对其叙述正确的有 A: 恒定表面源扩散指将硅片处于恒定浓度的杂质氛围中,杂质扩散到硅表面很薄的表层。 B: 恒定表面源扩散特点:可控制表面浓度和扩散探度,但不能任意控制杂质总量,因而难以制作出高表面浓度的浅结 C: 限定表面源扩散指在扩散过程中硅片外部无杂质的环境氛围下,杂质源限定于扩散前淀积在硅片表面极薄层内的杂质总量Q,扩散过程中Q为常量,依靠这些有限的杂质向硅片内进行的扩散。 D: 限定表面源扩散特点:控制杂质总量和扩散深度,但不能任意控制表面浓度,难以制作出低表面浓度的深结
- 恒定源扩散在整个扩散的过程中杂质溶度始终保持不变;限定源扩散在整个扩散过程中单位面积杂质总量为常量。(<br/>)