大马士革工艺采用的化学机械抛光的方法来实现薄膜表面平坦化
A: 对
B: 错
A: 对
B: 错
举一反三
- CMP是半导体制造中的什么工艺，其目的是 A: 化学机械抛光技术，实现全局平坦化 B: 化学沉积技术，实现全局平坦化 C: 化学机械抛光技术，实现局部平坦化 D: 化学沉积技术，实现局部平坦化
- 利用超声振动的能量，通过机械装置对型腔表面进行抛光加工的工艺方法是（）。 A: 手工抛光 B: 机械抛光 C: 超声波抛光 D: 挤压抛光
- 铜的互连技术普遍采用大马士革工艺，大马士革工艺中用到哪种平坦化技术
- ⑥ 关于大马士革工艺和导入CMP方法的异同错误的是： A: 、大马士革工艺和导入CMP都是采用化学机械抛光平坦各层 B: 、大马士革工艺和导入CMP都用来做Cu布线 C: 、大马士革工艺是第四代布线技术，导入CMP是第三代布线技术 D: 、导入CMP还需要用到刻蚀工艺
- 化学机械平坦化，简称CMP，它是一种表面全局平坦化技术。