氧化硅的化学机械抛光是集成电路制造中最先进和最广泛的平坦化工艺，主要应用于（）方面。
A: 大马士革工艺
B: 层间介质（ILD）CMP
C: 浅沟槽隔离(STI)CMP
D: 钨的CMP
A: 大马士革工艺
B: 层间介质（ILD）CMP
C: 浅沟槽隔离(STI)CMP
D: 钨的CMP
B,C
举一反三
- 中国大学MOOC: 氧化硅的化学机械抛光是集成电路制造中最先进和最广泛的平坦化工艺，主要应用于（）方面。
- ⑥ 关于大马士革工艺和导入CMP方法的异同错误的是： A: 、大马士革工艺和导入CMP都是采用化学机械抛光平坦各层 B: 、大马士革工艺和导入CMP都用来做Cu布线 C: 、大马士革工艺是第四代布线技术，导入CMP是第三代布线技术 D: 、导入CMP还需要用到刻蚀工艺
- 氧化硅的CMP抛光中，氧化层用CMP抛光至特定的厚度，因为没有抛光停止层，ILD氧化层抛光需要有效的终点检测
- 氧化硅的CMP抛光中，氧化层用CMP抛光至特定的厚度，因为没有抛光停止层，ILD氧化层抛光需要有效的终点检测 A: 正确 B: 错误
- 化学机械抛光CMP工艺是最先进最广泛应用的抛光技术，抛光技术非常成熟，不会产生任何缺陷。 A: 正确 B: 错误
内容
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中国大学MOOC: 化学机械抛光CMP工艺是最先进最广泛应用的抛光技术，抛光技术非常成熟，不会产生任何缺陷。
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⑦ 关于布线技术的说法错误的是 A: 、大马士革工艺只在最尖端的器件中使用，玻璃流平和导入CMP技术仍广泛采用 B: 、第四代多层布线技术除了采用W塞柱作层间连接全部采用Cu双大马士革工艺 C: 、大马士革工艺布线中，绝缘阻挡层多用SiO2 D: 、大马士革工艺利用低介电膜的层间绝缘膜结构不需要采用CMP平坦化工艺
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中国大学MOOC: 化学机械抛光CMP工艺中影响抛光质量的三大关键要素是（）。
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CMP是半导体制造中的什么工艺，其目的是 A: 化学机械抛光技术，实现全局平坦化 B: 化学沉积技术，实现全局平坦化 C: 化学机械抛光技术，实现局部平坦化 D: 化学沉积技术，实现局部平坦化
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STI中的填充氧化层是用CMP技术磨去比氮化硅层高的所有氧化硅，从而实现全局平坦化。 A: 正确 B: 错误