常规硅集成电路平面制造工艺中光刻工序包括的步骤有（）、（）、（）、（）、（）、（）、（）等。
涂胶；前烘；曝光；显影；坚膜；腐蚀；去胶
举一反三
内容
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光刻是集成电路制造工艺发展的驱动力。
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在集成电路制造工艺步骤中，光刻与刻蚀能把掩膜版上的图形转移到硅片上来。
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半导体集成电路是微电子技术的核心。下面有关集成电路的叙述中错误的是（）。 A: 集成电路有小规模、中规模、大规模、超大规模和极大规模等多种，嵌入式处理器芯片一般属于大规模集成电路 B: 集成电路的制造大约需要几百道工序，工艺复杂且技术难度非常高 C: 集成电路大多在硅衬底上制作而成，硅衬底是单晶硅锭经切割、研磨和抛光而成的圆形薄片 D: 集成电路中的电路及电子元件，需反复交叉使用氧化，光刻，掺杂和互连等工序才能制成
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光刻是集成电路制造过程中总成本最高的工艺。（ ）
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智慧职教: 光刻技术是集成电路制造工序中的核心工序之一，直接影响器件的性能。