在半导体微光刻技术中最早使用的光刻胶主要是负性光刻胶。
对
举一反三
内容
- 0
中国大学MOOC: 在半导体光刻技术中，最早使用的是负性光刻胶，它具有良好的粘附性。
- 1
在半导体光刻技术中，最早使用的是负性光刻胶，它具有良好的粘附性。 A: 正确 B: 错误
- 2
光刻包括两种基本的工艺类型：负性光刻和（ ），两者的主要区别是所用光刻胶的种类不同。
- 3
在光刻工艺中，前烘的主要目的是（）。 A: 蒸发掉胶中的有机溶剂成分，使晶圆表面的胶固化 B: 缓和在旋转过程中光刻胶膜内产生的应力 C: 防止沾污设备 D: 增强光刻胶的粘附性
- 4
光刻工艺所需要的三要素为() A: 光源、光刻胶和掩模版 B: 光刻胶、掩模版和光刻机 C: 光源、掩模版和超净间 D: 光刻胶、掩模版和光刻焦深