在半导体微光刻技术中最早使用的光刻胶主要是负性光刻胶。
A: 正确
B: 错误
A: 正确
B: 错误
A
举一反三
内容
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中国大学MOOC: 光刻包括两种基本的工艺类型：负性光刻和正性光刻，负性光刻中采用的光刻胶是（ ）。
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中国大学MOOC: 在半导体光刻技术中，最早使用的是负性光刻胶，它具有良好的粘附性。
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在光刻工艺中，前烘的主要目的是（）。 A: 蒸发掉胶中的有机溶剂成分，使晶圆表面的胶固化 B: 缓和在旋转过程中光刻胶膜内产生的应力 C: 防止沾污设备 D: 增强光刻胶的粘附性
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光刻工艺所需要的三要素为() A: 光源、光刻胶和掩模版 B: 光刻胶、掩模版和光刻机 C: 光源、掩模版和超净间 D: 光刻胶、掩模版和光刻焦深
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光刻包括两种基本的工艺类型：负性光刻和（ ），两者的主要区别是所用光刻胶的种类不同。