关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！ 2022-10-27 中国大学MOOC: 大尺寸硅片上生长的 的不均匀和各个部位刻蚀速率的不均匀会导致刻蚀图形转移的不均匀性 。 中国大学MOOC: 大尺寸硅片上生长的 的不均匀和各个部位刻蚀速率的不均匀会导致刻蚀图形转移的不均匀性 。 答案： 查看 举一反三 大硅片上生长的（）的不均匀和各个部位刻蚀速率的不均匀会导致刻蚀图形转移的不均匀性。 A: 薄膜厚度 B: 图形宽度 C: 图形长度 D: 图形间隔 大硅片上生长的（）的不均匀和各个部位刻蚀速率的不均匀会导致刻蚀图形转移的不均匀性。 A: A薄膜厚度 B: B图形宽度 C: C图形长度 D: D图形间隔 刻蚀均匀性是衡量刻蚀工艺在整个硅片上或整个一批硅片间,或批与批的硅片间刻蚀速率均匀性。 中国大学MOOC: 负载效应是指因刻蚀面积变化而导致的刻蚀均匀性的变化，刻蚀速率随着被刻蚀薄膜暴露的面积的增加而下降。 刻蚀参数有：（ ）。 A: 刻蚀偏差 B: 刻蚀速率 C: 均匀性 D: 选择比
