大硅片上生长的（）的不均匀和各个部位刻蚀速率的不均匀会导致刻蚀图形转移的不均匀性。
A: A薄膜厚度
B: B图形宽度
C: C图形长度
D: D图形间隔
A: A薄膜厚度
B: B图形宽度
C: C图形长度
D: D图形间隔
A
举一反三
- 大硅片上生长的（）的不均匀和各个部位刻蚀速率的不均匀会导致刻蚀图形转移的不均匀性。 A: A薄膜厚度 B: B图形宽度 C: C图形长度 D: D图形间隔
- 中国大学MOOC: 大尺寸硅片上生长的 的不均匀和各个部位刻蚀速率的不均匀会导致刻蚀图形转移的不均匀性 。
- 刻蚀均匀性是衡量刻蚀工艺在整个硅片上或整个一批硅片间,或批与批的硅片间刻蚀速率均匀性。
- 下面关于刻蚀效果的描述中错误的是（）。 A: 刻蚀均匀性要好 B: 图形的保真度好 C: 刻蚀选择比低 D: 刻蚀的洁净度高
- 晶圆制造过程中,检测刻蚀质量的好坏,一般通过以下几个方面体现出来:( )。 A: 刻蚀均匀性 B: 图形保真度 C: 刻蚀选择比 D: 刻蚀的洁净度
内容
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114.晶圆制造过程中，检测刻蚀质量的好坏，一般通过以下几个方面体现出来：（）。 A: 刻蚀均匀性 B: 图形保真度 C: 刻蚀选择比 D: 刻蚀的洁净度
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在刻蚀工艺中,有几个非常重要的参数,其中( )定义为当刻蚀线条时,刻蚀的深度V 与一边的横向增加量 ΔX 的比值V/ΔX,比值越大,说明横向刻蚀速率小,刻蚀图形的保真度好。 A: 刻蚀因子 B: 刻蚀速率 C: 选择比 D: 均匀性
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刻蚀参数有：（ ）。 A: 刻蚀偏差 B: 刻蚀速率 C: 均匀性 D: 选择比
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刻蚀要求在整个晶圆上有一个均匀的刻蚀速率，（）是在晶圆上由测量刻蚀过程前后特定点的厚度，并计算这些点的刻蚀速率而得到的。 A: 选择性 B: 均匀性 C: 轮廓 D: 刻蚀图案
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下列属于产生热偏差的原因是（） A: 吸热不均 B: 流量不均 C: 结构不均匀 D: 散热不均