大硅片上生长的（）的不均匀和各个部位刻蚀速率的不均匀会导致刻蚀图形转移的不均匀性。
A: 薄膜厚度
B: 图形宽度
C: 图形长度
D: 图形间隔
A: 薄膜厚度
B: 图形宽度
C: 图形长度
D: 图形间隔
举一反三
- 大硅片上生长的（）的不均匀和各个部位刻蚀速率的不均匀会导致刻蚀图形转移的不均匀性。 A: A薄膜厚度 B: B图形宽度 C: C图形长度 D: D图形间隔
- 中国大学MOOC: 大尺寸硅片上生长的 的不均匀和各个部位刻蚀速率的不均匀会导致刻蚀图形转移的不均匀性 。
- 刻蚀均匀性是衡量刻蚀工艺在整个硅片上或整个一批硅片间,或批与批的硅片间刻蚀速率均匀性。
- 下面关于刻蚀效果的描述中错误的是（）。 A: 刻蚀均匀性要好 B: 图形的保真度好 C: 刻蚀选择比低 D: 刻蚀的洁净度高
- 晶圆制造过程中,检测刻蚀质量的好坏,一般通过以下几个方面体现出来:( )。 A: 刻蚀均匀性 B: 图形保真度 C: 刻蚀选择比 D: 刻蚀的洁净度