扩散掺杂与离子注入掺杂所形成的杂质浓度分布各自的特点是什么？与扩散掺杂相比离子注入掺杂的优势与缺点各是什么？
举一反三
- 离子注入有下面哪种特点： A: 掺入杂质的浓度可高于该杂质在硅中的固溶度 B: 掺杂可控性好于扩散 C: 工艺方法简单、成本低 D: 与扩散相比离子注入杂质分布横向效应小
- 与扩散相比，离子注入有两个优点，离子注入的工艺，是低温工艺，可以获得良好的掺杂层。（ ）
- 有限表面源扩散与离子注入的杂质分布都满足高斯函数，两种掺杂工艺杂质最高浓度位置都在硅片表面。
- 使掺杂的离子加速到一定的能量，使之注入到晶体中，经过退火使杂质激活，从而达到掺杂的目的，这种工艺称为： 。 A: 扩散 B: 快速热退火 C: 刻蚀 D: 离子注入
- 通过掺杂改变材料的电阻率或杂质类型,常用掺杂方法基本有扩散和离子注入,目前主要以______ 为主。