生长单晶硅的方法有( )
A: CZ法
B: 区熔法
A: CZ法
B: 区熔法
举一反三
- 单晶硅的制备方法有（）。 A: 定向凝固法 B: 直拉单晶法 C: 浇筑法 D: 区熔法
- 制备单晶硅的方法有 A: 直拉法（CZ） B: 悬浮区熔法（FZ） C: 蒸发 D: 溅射
- 下列有关CZ法的优缺点叙述正确的是？ A: CZ法通过光学传感器监测单晶棒与熔融硅界面的亮环，控制提拉速度，获得均匀的单晶棒。 B: CZ法因为使用了石英坩埚和石墨坩埚套，导致单晶硅棒氧和碳含量相对较高。 C: CZ法使用移动的加热线圈，完成单晶硅棒的生长，因此硅棒的直径相对较小。 D: CZ法生长单晶硅棒时，硅棒需要匀速旋转，保证径向生长的均匀性。
- 单晶硅生产方法有哪些 A: 直拉法（CZ） B: 区熔法（FZ） C: 定向凝固法 D: 冷氢化法
- 常见的制备单晶硅的方法有 A: 直拉法（CZ） B: 悬浮区熔法（FZ） C: 蒸发 D: 溅射