下列有关CZ法的优缺点叙述正确的是？
A: CZ法通过光学传感器监测单晶棒与熔融硅界面的亮环，控制提拉速度，获得均匀的单晶棒。
B: CZ法因为使用了石英坩埚和石墨坩埚套，导致单晶硅棒氧和碳含量相对较高。
C: CZ法使用移动的加热线圈，完成单晶硅棒的生长，因此硅棒的直径相对较小。
D: CZ法生长单晶硅棒时，硅棒需要匀速旋转，保证径向生长的均匀性。
A: CZ法通过光学传感器监测单晶棒与熔融硅界面的亮环，控制提拉速度，获得均匀的单晶棒。
B: CZ法因为使用了石英坩埚和石墨坩埚套，导致单晶硅棒氧和碳含量相对较高。
C: CZ法使用移动的加热线圈，完成单晶硅棒的生长，因此硅棒的直径相对较小。
D: CZ法生长单晶硅棒时，硅棒需要匀速旋转，保证径向生长的均匀性。
举一反三
- 区熔法不需要坩埚，可制备高纯单晶，可分为水平区熔和悬浮区熔，区熔单晶硅棒具有更好的固有纯度。
- 生长单晶硅的方法有( ) A: CZ法 B: 区熔法
- CZ法、MCZ法拉单晶时必须有籽晶；而FZ法拉单晶时不需要籽晶。 A: 正确 B: 错误
- 以下制作硅片的流程正确的为（ ）。 A: 沙子-熔融-切割-拉单晶-硅晶圆 B: 沙子-熔融-拉单晶-切割-硅晶圆 C: 沙子-切割-熔融-拉单晶-硅晶圆
- 下面关于拉制单晶的问题，哪个正确？ A: 拉制单晶锭是以最大提拉速度进行生产的 B: 单晶生长是在熔体硅/晶体硅界面进行的 C: 实际干锅内熔体的温度梯度为零 D: 实际提拉单晶硅锭的速率考虑了质量和生产效率两方面因素