下面关于几种CVD方法的描述正确的是（）。
A: LPCVD不能淀积二氧化硅薄膜
B: 等离子体增强化学气相淀积(PECVD)是目前最主要的化学气相淀积系统，低温淀积是其最主要优点。
C: 低压化学气相淀积系统（LPCVD）淀积的某些薄膜，在均匀性和台阶覆盖等方面比APCVD系统的要好，而且污染也少。
D: 做CVD淀积钨时，采用六氟化钨WF6作为气体源，六氟化钨能 与衬底窗口处的硅反应，而不与二氧化硅、氮化硅反应, 所以钨可以选择性地沉积在硅接触窗口中。
A: LPCVD不能淀积二氧化硅薄膜
B: 等离子体增强化学气相淀积(PECVD)是目前最主要的化学气相淀积系统，低温淀积是其最主要优点。
C: 低压化学气相淀积系统（LPCVD）淀积的某些薄膜，在均匀性和台阶覆盖等方面比APCVD系统的要好，而且污染也少。
D: 做CVD淀积钨时，采用六氟化钨WF6作为气体源，六氟化钨能 与衬底窗口处的硅反应，而不与二氧化硅、氮化硅反应, 所以钨可以选择性地沉积在硅接触窗口中。
举一反三
- 下面关于几种CVD方法描述正确的是（）。 A: 等离子体增强化学气相淀积(PECVD)是目前最主要的化学气相淀积系统，低温淀积是其最主要优点。 B: 低压化学气相淀积系统（LPCVD）淀积的某些薄膜，在均匀性和台阶覆盖等方面比APCVD系统的要好，而且污染也少。 C: 做CVD淀积钨时，采用六氟化钨WF6作为气体源，六氟化钨能 与衬底窗口处的硅反应，而不与二氧化硅、氮化硅反应, 所以钨可以选择性地沉积在硅接触窗口中。 D: LPCVD不能淀积二氧化硅薄膜。
- 下面关于集中CVD方法描述正确的是（）。 A: 等离子体增强化学气相淀积(PECVD)是目前最主要的化学气相淀积系统，低温淀积是其最主要优点。 B: 低压化学气相淀积系统（LPCVD）淀积的某些薄膜，在均匀性和台阶覆盖等方面比APCVD系统的要好，而且污染也少。 C: 做CVD淀积钨时，采用六氟化钨WF6作为气体源，六氟化钨能 与衬底窗口处的硅反应，而不与二氧化硅、氮化硅反应, 所以钨可以选择性地沉积在硅接触窗口中。 D: LPCVD不能淀积二氧化硅薄膜。
- LPCVD的含义是（）。 A: 常压化学气相淀积 B: 低压化学气相淀积 C: 等离子体化学气相淀积 D: 光化学气相淀积
- CVD的含义是 A: 化学气相淀积 B: 化学气相淀积
- 以下哪些属于热化学气相淀积 ( ) A: 常压化学气相淀积 B: 金属有机物化学气相淀积 C: 低压化学气相淀积 D: 光化学气相淀积