硅外延生长工艺包括（）。
A: A衬底制备
B: B原位HCl腐蚀
C: C生长温度，生长压力，生长速度
D: D尾气的处理
A: A衬底制备
B: B原位HCl腐蚀
C: C生长温度，生长压力，生长速度
D: D尾气的处理
举一反三
- 硅外延生长工艺包括（）。 A: A衬底制备 B: B原位HCl腐蚀 C: C生长温度，生长压力，生长速度 D: D尾气的处理
- LED地材料制备包括什么？（) A: 外延片地制备 B: 衬底材料地制备 C: 外延片地生长 D: 衬底材料地生长
- 在外延工艺中，如果膜和衬底材料相同，例如硅衬底上长硅膜，这样的膜生长称为（ ） A: 同质外延 B: 异质外延
- 薄膜外延生长技术是指在单晶衬底上,定向地生长与衬底晶体结构相同或类似的晶态薄层。如果生长材料与衬底成分相同,称为______ 外延;生长材料与衬底成分不同,称为______ 外延。
- 在外延工艺中，如果膜和衬底材料不一致，例如蓝宝石衬底上长硅膜，这样的膜生长称为（ ） A: 同质外延 B: 异质外延