在一维条件下，在布里渊区边界处，电子波函数发生简并微扰，其结果是：
A: 能带连续
B: 能带断裂，禁带宽度为2|Vn|
C: 能带断裂，禁带宽度为|Vn|
D: 能带断裂，禁带宽度为2Vn
A: 能带连续
B: 能带断裂，禁带宽度为2|Vn|
C: 能带断裂，禁带宽度为|Vn|
D: 能带断裂，禁带宽度为2Vn
举一反三
- 晶体中能带的特点有？ A: 能带与能带之间存在禁带 B: 低能级形成的能带宽度一般小于高能级形成的能带宽度 C: 能带是准连续的 D: 能带是连续的
- 导体材料的能带结构为禁带宽度小于2eV（）
- 根据能带理论,半导体、绝缘体禁带宽度大
- 一维晶体的电子能带可写为，式中为晶格常数，试求（1）布里渊区边界；（2）能带宽度；（3）电子在波矢k状态时的速度；（4）能带底部电子的有效质量[tex=1.286x1.357]OTI0zV+jj6P2TOlomC9fBQ==[/tex]；（5）能带顶部空穴的有效质量[tex=1.286x1.5]oUc8VQR0ctwKHdljRVeFpg==[/tex]。[br][/br]
- 下列关于能带结构的说法中，错误的是（ ）。 A: 硅是间接带隙半导体 B: 禁带宽度具有负的温度系数 C: 室温下，硅和锗的禁带宽度分别为1.12eV和1.43eV D: 位于能带底的电子，其有效质量为正，位于能带顶的电子，其有效质量为负