下列关于能带结构的说法中，错误的是（ ）。
A: 硅是间接带隙半导体
B: 禁带宽度具有负的温度系数
C: 室温下，硅和锗的禁带宽度分别为1.12eV和1.43eV
D: 位于能带底的电子，其有效质量为正，位于能带顶的电子，其有效质量为负
A: 硅是间接带隙半导体
B: 禁带宽度具有负的温度系数
C: 室温下，硅和锗的禁带宽度分别为1.12eV和1.43eV
D: 位于能带底的电子，其有效质量为正，位于能带顶的电子，其有效质量为负
C
举一反三
- 下列关于能带结构的说法中，错误的是（ ）。 A: 硅是间接带隙半导体 B: 禁带宽度具有负的温度系数 C: 室温下，硅和锗的禁带宽度分别为1.12eV和1.43eV D: 位于能带底的电子，其有效质量为正，位于能带顶的电子，其有效质量为负
- 【填空题】从能带结构特征上看:硅、锗均为()带隙结构;砷化镓为()带隙结构。后者具有更好的光学性能。硅、锗和砷化镓的室温禁带宽度分别为()eV、()eV和()eV
- 能带顶部电子的有效质量为负;能带底部电子的有效质量为正。
- 能带顶部电子的有效质量为负;能带底部电子的有效质量为正。 A: 正确 B: 错误
- 2. 硅的禁带宽度是 ______ eV，锗的禁带宽度 ______ eV。
内容
- 0
半导体材料硅（Si）的禁带宽度是（ ）？ A: 1.2 eV B: 1.4 eV C: 1.05 eV D: 1.12 eV
- 1
试求出在室温下本征硅的塞贝克系数。设电子和空穴的有效质量相等,硅的禁带宽度为1.12eV,电子和空穴的迁移率分别为[tex=7.929x1.5]FarMY+dbpe5RdvpMFW4fp7wARRnB+1PYhFSKV0CrjF4DqL9J14mFpQfsm8loM+FA[/tex]和[tex=7.071x1.5]sJ8QMlgaVinJSoeBbwtwX+pnRpUp/jRU6Z1LL3p2wrQ=[/tex]。
- 2
本征硅的禁带宽度为 A: 1.12 eV B: 1.34 eV C: 3 eV D: 0.66 eV
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在一维条件下，在布里渊区边界处，电子波函数发生简并微扰，其结果是： A: 能带连续 B: 能带断裂，禁带宽度为2|Vn| C: 能带断裂，禁带宽度为|Vn| D: 能带断裂，禁带宽度为2Vn
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一个晶格常数为a的二维正方晶格，（1）用紧束缚近似求S能带表示式，能带顶和能带底的位置以及能带宽度；（2）求能带底电子和能带顶空穴的有效质量；（3）写出s能带电子的速度表示式。