关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！ 2022-11-04 导体材料的能带结构为禁带宽度小于2eV（） 导体材料的能带结构为禁带宽度小于2eV（） 答案： 查看 举一反三 晶体硅材料在常温下的禁带宽度为eV。 室温下半导体Si的禁带宽度大约为 （）。 A: 0.15 eV B: 1.12 eV C: 2.5 eV D: 4.5 eV 在一维条件下，在布里渊区边界处，电子波函数发生简并微扰，其结果是： A: 能带连续 B: 能带断裂，禁带宽度为2|Vn| C: 能带断裂，禁带宽度为|Vn| D: 能带断裂，禁带宽度为2Vn 【填空题】从能带结构特征上看:硅、锗均为()带隙结构;砷化镓为()带隙结构。后者具有更好的光学性能。硅、锗和砷化镓的室温禁带宽度分别为()eV、()eV和()eV 2. 硅的禁带宽度是 ______ eV，锗的禁带宽度 ______ eV。
