导体材料的能带结构为禁带宽度小于2eV（）
错
举一反三
内容
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半导体材料硅（Si）的禁带宽度是（ ）？ A: 1.2 eV B: 1.4 eV C: 1.05 eV D: 1.12 eV
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硅材料的禁带宽度为( )eV。 A: 0.7 B: 1.4 C: 2.6 D: 1.12
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本征硅的禁带宽度为 A: 1.12 eV B: 1.34 eV C: 3 eV D: 0.66 eV
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绝缘体的能带结构与半导体类似，只是禁带宽度较小。（ ）
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晶体中能带的特点有？ A: 能带与能带之间存在禁带 B: 低能级形成的能带宽度一般小于高能级形成的能带宽度 C: 能带是准连续的 D: 能带是连续的