关于PECVD-Si3N4薄膜的下列说法哪个对？
A: 含H；
B: 抗腐蚀性好；
C: 台阶覆盖性较好；
D: 是中温工艺；
E: 常作为芯片的保护膜；
F: 常作为腐蚀掩膜。
A: 含H；
B: 抗腐蚀性好；
C: 台阶覆盖性较好；
D: 是中温工艺；
E: 常作为芯片的保护膜；
F: 常作为腐蚀掩膜。
举一反三
- 关于PECVD-Si3N4薄膜的下列说法哪个对？ A: 含H B: 常作为腐蚀掩膜 C: 台阶覆盖性较好 D: 常作为芯片的保护膜
- 薄膜在KOH水溶液中的腐蚀速率非常慢，因此常作为硅片定域KOH各向异性腐蚀的掩蔽膜，而PECVD氮化硅薄膜在KOH水溶液中的腐蚀速率快。怎样才能用已淀积的PECVD氮化硅薄膜作为KOH各向异性腐蚀的掩蔽膜？
- 作为芯片保护膜、钝化膜的氮化硅是以PECVD、LPCVD中的 ______ 方法制备的。
- 如果要求淀积非金属薄膜的台阶覆盖性（保角特性）好，应该使用下列哪种工艺？ A: APCVD B: APCVD C: PECVD D: PECVD
- 如果要求淀积非金属薄膜的台阶覆盖性(保角特性)好,应该使用下列哪种工艺?() A: APCVD B: LPCVD C: PECVD