LPCVD和PECVD的不同包括:
A: LPCVD 主要采用加热的方式提供化学反应的能量
B: PECVD主要采用等离子体提供能量
C: LPCVD温度比较高,只能用于金属前介质的淀积
D: PECVD温度比较低,适合金属间介质的淀积
A: LPCVD 主要采用加热的方式提供化学反应的能量
B: PECVD主要采用等离子体提供能量
C: LPCVD温度比较高,只能用于金属前介质的淀积
D: PECVD温度比较低,适合金属间介质的淀积
举一反三
- ()采用增强的等离子体,从而增加淀积能量,降低沉积温度。 A: APCVD B: LPCVD C: PECVD
- 缩略语PECVD、LPCVD、HDPCVD和APCVD的中文名称分别是（）、（）、高密度等离子体化学气相淀积和（）。
- 对于已经完成金属化工艺，介质的淀积常常采用哪种方法 A: APCVD B: LPCVD C: PECVD D: LCVD
- PECVD相对LPCVD方法来说，显著的优点是 A: 温度比较低 B: 薄膜制备的纯度比较高 C: 淀积速度比较快 D: 淀积的薄膜结构比较致密
- LPCVD紧随PECVD的发展而发展。由660℃降为450℃，采用增强的等离子体，增加淀积能量，即低压和低温。 A: 正确 B: 错误