PECVD相对LPCVD方法来说，显著的优点是
A: 温度比较低
B: 薄膜制备的纯度比较高
C: 淀积速度比较快
D: 淀积的薄膜结构比较致密
A: 温度比较低
B: 薄膜制备的纯度比较高
C: 淀积速度比较快
D: 淀积的薄膜结构比较致密
举一反三
- LPCVD和PECVD的不同包括: A: LPCVD 主要采用加热的方式提供化学反应的能量 B: PECVD主要采用等离子体提供能量 C: LPCVD温度比较高,只能用于金属前介质的淀积 D: PECVD温度比较低,适合金属间介质的淀积
- 如果要求淀积非金属薄膜的台阶覆盖性(保角特性)好,应该使用下列哪种工艺?() A: APCVD B: LPCVD C: PECVD
- 下面关于几种CVD方法的描述正确的是（）。 A: LPCVD不能淀积二氧化硅薄膜 B: 等离子体增强化学气相淀积(PECVD)是目前最主要的化学气相淀积系统，低温淀积是其最主要优点。 C: 低压化学气相淀积系统（LPCVD）淀积的某些薄膜，在均匀性和台阶覆盖等方面比APCVD系统的要好，而且污染也少。 D: 做CVD淀积钨时，采用六氟化钨WF6作为气体源，六氟化钨能 与衬底窗口处的硅反应，而不与二氧化硅、氮化硅反应, 所以钨可以选择性地沉积在硅接触窗口中。
- 下面关于集中CVD方法描述正确的是（）。 A: 等离子体增强化学气相淀积(PECVD)是目前最主要的化学气相淀积系统，低温淀积是其最主要优点。 B: 低压化学气相淀积系统（LPCVD）淀积的某些薄膜，在均匀性和台阶覆盖等方面比APCVD系统的要好，而且污染也少。 C: 做CVD淀积钨时，采用六氟化钨WF6作为气体源，六氟化钨能 与衬底窗口处的硅反应，而不与二氧化硅、氮化硅反应, 所以钨可以选择性地沉积在硅接触窗口中。 D: LPCVD不能淀积二氧化硅薄膜。
- 下面关于几种CVD方法描述正确的是（）。 A: 等离子体增强化学气相淀积(PECVD)是目前最主要的化学气相淀积系统，低温淀积是其最主要优点。 B: 低压化学气相淀积系统（LPCVD）淀积的某些薄膜，在均匀性和台阶覆盖等方面比APCVD系统的要好，而且污染也少。 C: 做CVD淀积钨时，采用六氟化钨WF6作为气体源，六氟化钨能 与衬底窗口处的硅反应，而不与二氧化硅、氮化硅反应, 所以钨可以选择性地沉积在硅接触窗口中。 D: LPCVD不能淀积二氧化硅薄膜。